クリス・ジェンキンス
水曜日にサンタクララで開催されたオープンイノベーションプラットフォーム・エコシステムフォーラムにおいて、チップファウンドリーTSMCは、次期技術ノードの進捗状況について最新情報を発表しました（EE Times経由）。これらのノードのいくつかは、次期Appleチップの候補となる可能性があります。特に注目すべきは、同社初の7ナノメートルプロセスノードが既に複数のテープアウト（最終設計）を完了しており、2018年には量産体制に入る見込みであることです。
TSMCの10nmノードは、AppleのiPad Proに搭載されたA10Xチップで初めて採用され、その後A11チップに続きましたが、チップ歩留まりの低さや当初の期待を下回る性能など、多くの問題を抱えてきました（有料リンク）。TSMCは、現在のスケジュールを考慮するとA11チップの後継機に適した新しい7nmノードで、この運命を変えようとしています。
TSMCは7nmノードに加え、このノードの後継となるN7+と呼ばれるリビジョンに関する情報も公開しました。長らく難題となっていた極端紫外線リソグラフィー（EUV）を採用したこのリビジョンは、他の要因を一定とした場合、密度が20%向上し、速度が約10%向上し、消費電力が15%削減されるとされています。
EUVはこれまで10年以上も遅延に直面してきましたが、ついに実現の兆しを見せています。2019年に量産体制が整えば、Appleはその後もチッププロセスをアップデートできるようになります。Appleは3GSへの移行以降、iPhoneごとにプロセスノードをアップデートしてきましたが、A9とA10ではTSMCの16nmノードを2年連続で使用せざるを得なくなりました。今後、チップファウンドリが物理的な現実と最小トランジスタサイズの問題に対処するため、この年間サイクルは再び危うくなっています。
TSMCは、W1や後継のW2といったワイヤレスチップシリーズなど、Appleの他のカスタム設計に適した低消費電力・低リークプロセスも発表しました。TSMCは、携帯電話のベースバンドやWi-FiチップなどのアナログおよびRF設計に適した22nm超低リークノードの来年の提供開始を目指しています。
これは最終的に、AppleがWシリーズのワイヤレスチップを搭載したApple Watchとヘッドフォンの消費電力をさらに削減するのに役立つでしょう。また、Qualcommのモデム製品にも採用される可能性が高いです。W1とW2の製造プロセスは現在公表されていませんが、TSMCのRFに特化したプロセスのいずれかがAppleのチップに電力を供給している可能性があります。
最後に、TSMCは、高帯域幅メモリ（HBM）をアセンブリに統合することを目的とした、統合ファンアウトパッケージングプロセス（InFO）の改訂版（InFO-MS）を発表しました。HBMは、コンシューマー向けグラフィックスカードなど、非常に高い持続メモリ帯域幅が求められるアプリケーションから大きな関心を集めています。
HBMやWide I/Oなどの類似規格は、メモリ帯域幅の向上だけでなく、一定の帯域幅における消費電力の削減も期待できるため、モバイルSoC設計に適した進化と言えるでしょう。このタイプのメモリインターフェースはモバイル設計にはまだ導入されていませんが、近い将来に実現すると考えられます。モバイルメモリの進歩にもかかわらず、グラフィックスレンダリングなどの一部のタスクでは重要となる可能性のある総帯域幅の点では、デスクトップやラップトップのシステムに比べて依然として遅れをとっています。
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