インテルとマイクロンは木曜日、現在生産中の他のNANDテクノロジーに比べて3倍のストレージ容量を持つ高密度フラッシュデバイスを実現する新しい3D NANDテクノロジーの提供開始を発表しました。3D NANDテクノロジーは、パフォーマンスの高速化、レイテンシの改善、非アクティブなNANDダイへの電力供給を遮断することで消費電力を削減する新しいスリープモードなどにより、平面NANDよりもコスト効率に優れています。
これらの進歩により、将来のMacやフラッシュメモリ搭載デバイスに10TBを超えるソリッドステートドライブ（SSD）を搭載することが可能になります。これは、AppleがMacBook Pro、iMac、Mac Pro向けに提供している最大1TBのPCIeベースフラッシュストレージアップグレードオプションよりも大幅に大容量です。平面型NANDは実用的なスケーリング限界に直面していますが、IntelとMicronは3D NANDがフラッシュメモリの未来を形作ると期待しています。
「マイクロンとインテルの協業により、高密度、高性能、そして高効率を実現し、今日のどのフラッシュメモリにも匹敵しない業界をリードするソリッドステートストレージ技術が誕生しました」と、マイクロン テクノロジーのメモリ技術およびソリューション担当副社長、ブライアン・シャーリー氏は述べています。「この3D NAND技術は、市場に根本的な変化をもたらす可能性を秘めています。スマートフォンからフラッシュメモリに最適化されたスーパーコンピューティングに至るまで、フラッシュメモリがこれまでもたらした影響の大きさは、まさにその可能性のほんの一部に過ぎません。」
3D NANDは、フローティングゲートセルを採用した革新的なプロセスアーキテクチャを採用しており、これによりパフォーマンス、品質、信頼性が向上します。IntelとMicronは、「フラッシュセルを32層に垂直に積層することで、256Gbマルチレベルセル（MLC）および384Gbトリプルレベルセル（TLC）ダイを実現する」3D NANDテクノロジーが、継続的なパフォーマンス向上、コスト削減、そしてモバイルコンシューマーデバイスやエンタープライズ環境向けフラッシュストレージソリューションの普及につながると期待しています。
IntelとMicronは、256Gb MLC版3D NANDのサンプル出荷を今週から一部のパートナー企業で開始し、384Gb TLC版は今春後半にサンプル出荷を開始すると発表しました。両デバイスとも第4四半期に本格生産開始が予定されており、両社は3D NAND技術をベースとした独自のSSDソリューションラインを開発しており、来年中に提供開始予定です。
3D NANDを使用したフラッシュストレージソリューションは早くても今年末まで提供されない見込みであることを考えると、この新技術をベースにした大容量SSDが次世代Macに搭載される可能性は当面低いでしょう。Appleは最近、MacBook Airと13インチMacBook Proを刷新しましたが、特にこれら2つのノートブックモデルはまだ製品サイクルの初期段階にあります。
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